外观
Lesson 9 电流源电路
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2025-12-26

在前面的差分放大电路部分中我们分析过,一个静态工作点稳定的单管共射放大电路可以作为一个恒流源,设定了其输入回路偏置电阻的大小,便可以控制输出电流即集电极电流的大小并保持稳定;
这样的一个恒流源电路静态时等效为一个较小的电阻,可以为其他电路提供偏置电流建立合适的静态工作点;而动态时其输出电阻近似无穷大,等效为无穷大的动态电阻,输出端电位变化时动态电流非常小;
· 镜像电流源

两个晶体管特性完全相同,T0 侧为基准端(输入端),T1 侧为输出端,输出电流跟随输入电流——“镜像”
结构特点:
- 两个晶体管共基极(“背靠背”);
- 其中一个晶体管的集电极与基极相连(等电位),作为基准端;
- 两个晶体管均无发射极电阻
T0 即基准管的集电极电位等于基极电位,因此能够保证其始终工作在放大区;
两个晶体管基极电位相同,发射极电位相同,电流完全对称:
{IC1=IC0=IR−2IBIC1=IC0=βIB⇒IC1=β+2βIR
当 $ \beta >> 2 $ 时,满足 $ I_{C1} \approx I_R $,输出电流与基准电流近似相等,
基准电流即输入电流可以通过设定电阻 R 的大小:
IR=RVCC−UBE
· 比例电流源

两个晶体管特性完全相同,T0 侧为基准端(输入端),T1 侧为输出端,输出电流与输入电流呈比例关系
结构特点:
- 两个晶体管共基极(“背靠背”);
- 其中一个晶体管的集电极与基极相连(等电位),作为基准端;
- 两个晶体管均含有发射极电阻
每个晶体管的发射极电流与发射结压降的关系近似为:(回顾第二章晶体管的小信号等效电路模型,忽略 $ r_{bb'} $)
IE≈ISeUTUBE⟺UBE≈UTlnISIE
(IS 为反向饱和电流,UT 为温度电压常量,都是 PN 结伏安特性曲线的参数)
两个晶体管基极电位相等:
IE0Re0+UBE0=IE1Re1+UBE1
可以推导出两个发射极电流的关系:
IE1Re1=IE0Re0+UTlnIE1IE0
忽略对数项,且 $ \beta >> 2 $,集电极电流近似为发射极电流,T0 基准电流近似为集电极电流,即可推出比例电流关系:
IC1≈Re1Re0IR
· 微电流源

两个晶体管特性完全相同,T0 侧为基准端(输入端),T1 侧为输出端,输出电流很小
结构特点:
- 两个晶体管共基极(“背靠背”);
- 其中一个晶体管的集电极与基极相连(等电位),作为基准端;
- 输出侧晶体管含发射极电阻而输入侧没有;
· 精密电流源

相较于普通的镜像电流源,基准管的基极与集电极不是直接相连而是通过一个晶体管(射极输出形式)相连;
原理分析:假设晶体管参数完全相同,根据 KCL 和晶体管电流关系:
IC1=IC0
IR=IC0+IB2=IC0+1+βIE2=IC0+1+β2IB0=IC0+β(1+β)2IC0
IC1=β2+β+2β2+βIR⇒IC1≈IR
此电流源的误差小于普通的镜像电流源的误差(分母阶数)
因此相对较小的放大系数也可以实现较高精度的跟随
· 威尔逊电流源

结构特点:相较于普通的镜像电流源,输出侧增加了一个晶体管
原理分析:假设晶体管参数完全相同,根据 KCL 和晶体管电流关系:
IC2=1+ββIE2=1+ββ(2IB+IC1)=1+ββ(2βIC0+IC0)=1+β2+βIC0
IR=IC0+IB2=IC0+βIC2
IC2=(1−β2+2β+22)IR⇒IC2≈IR
类似于带射极输出器的精密电流源,威尔逊电流源的误差小于普通的镜像电流源的误差(分母阶数)
· 多级电流源

由一个基准电流控制多个输出电流,原理类似,单独分析即可
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2025/12/26 06:55
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